트랜지스터 대비 고속·고효율 '스핀' ...카이스트 연구진, 질화갈륨 반도체 나노선 이용 상온에서도 작동 가능케해

스핀트랜지스터 및 모식도 <사진 / KIST>

[뉴스비전e 정윤수 기자] 양자역학 성질의 전자소자인 '스핀'을 상온에서 작동할수 있도록하는 방법을 개발해 앞으로 부팅없는 컴퓨터의 상용화가 기대된다. 

스핀 트랜지스터는 기존 산화금속반도체 트랜지스터와 비교해 속도가 빠르고 저전력이지만, 영하 200℃ 이하의 환경에서만 작동이 되서 상용화를 하기 어려웠다. 

한국과학기술연구원(KIST·원장 이병권)은 장준연 차세대반도체연구소장, 박태언 스핀융합연구단 박사 연구팀이 질화갈륨(GaN) 반도체 나노선을 이용해 상온에서 고효율로 스핀을 주입하는 기술을 개발했다고 밝혔다.

이번 기술의 주요 특징은 ▲10% 이상의 높은 스핀 주입률, ▲스핀 완화거리를 500나노미터(㎚) 갖도록 하는 등의 방법을 통해 메모리와 CPU를 1개 칩에 담아낼수 있도록 한 것이다. 이를 통해 부팅없는 컴퓨터 개발이 가능할 것으로 연구진은 내다봤다. 

KIST 연구진이 이 난제를 해결하면서 스핀 트랜지스터 상용화 가능성이 높아졌다는 평가다. 

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